第411章 不被看好的王东来(3/5)

路。”随着王东来这句话说出口，原本有些吵闹的大厅顿时变得无比安静下来。众人都对王东来研发出先进封装设计方案而感到好奇。现在，好不容易有王东来分享思路的机会，众人自然不会错过，纷纷竖起耳朵听了起来。“大家都是行内人，所以一些简单的概念我就不说了。”“摩尔定律的存在，就意味着先进制程的开发成本和制造成本会越来越高，迭代也会耗费更长的时间，这样就会导致大量的公司无法具备更高制程芯片的制造，造成人为垄断。”“在制程工艺发展受限的后摩尔定律时代，先进封装技术通过优化芯片间互连，在系统层面实现算力、功耗和集成度等方面的突破，是突破摩尔定律的重要发展方向。”“先进封装的包括Bump(凸点/凸块），RDL（再布线），Wafer（晶圆）/WLP，TSV（硅通孔）四大要素，四要素组合形成不同的工艺，如倒装/FC，晶圆级封装/WLP，2.5D，3D封装等等”“传统芯片通过引线实现芯片PAD和框架之间的电气连接，而先进封装用凸点/凸块替代引线进行连接，从而缩短了电流路径和物理尺寸。”“……”“再布线技术可以实现引脚重新布局，满足更多的芯片管脚需求。RDL再布线技术可以实现芯片水平方向互连，重新规划连线途径，变换芯片初始设计的I/O焊盘位置和排列，调整为新的互连结构。”“……”“先进封装技术如3D堆叠和2.5D集成，依赖于晶圆作为基础来实现更高的集成度。晶圆在先进封装中不仅是芯片的载体，还作为RDL和TSV等互连技术的介质，这些技术在晶圆级别上实现更复杂的电路布局和更高的I/O密度。”“……”“而TSV则是在芯片和芯片之间，晶圆和晶圆之间制作垂直导通孔并填充金属等导电材料来实现芯片垂直互连，首先是利用深反应离子刻蚀（DRIE）制作TSV孔，等离子增强化学气相沉积（PECVD）制作介电层，物理气相沉积（PVD）制作阻挡层和种子层、电镀铜（Cu）填孔，化学机械抛光（CMP）去除多余的金属。在3D集成时，还需要进行晶圆减薄和薄晶键合。”“……”王东来在台上侃侃而谈，下面的众人则是聚精会神地听着。有的人则是听得如痴如醉，时而恍然大悟，时而疑惑不解。而有的人则是完全一脸懵逼，如听天书。说实话，在国内的环境